hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀衍射光学元件提高均匀度
本报告详细介绍了 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机在衍射光学元件制造中的技术应用。该设备配备了 KRI 考夫曼公司的 KDC 160 离子源和 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700，能够实现高真空度的精确控制，从而显著提高衍射光学元件的表面均匀性。通过本报告，我们展示了 Hakuto 10IBE 在提升光学元件性能方面的显著优势和应用潜力。
关键词： Hakuto 10IBE 离子刻蚀机，KDC 160 离子源，Hipace 700 涡轮分子泵，衍射光学元件，表面均匀性
衍射光学元件因其独特的光学性能在多个高技术领域中得到广泛应用。随着技术的发展，对衍射光学元件的制造工艺提出了更高的要求。Hakuto 10IBE 离子刻蚀机的应用，为实现高精度和高均匀性的光学元件制造提供了新的解决方案。
Hakuto 10IBE 离子刻蚀机概述 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机是伯东公司代理的一款高性能离子刻蚀设备，其核心构件离子源为 KRI 考夫曼公司的 KDC 160。该设备采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700，确保了真空腔的高真空度，为高质量刻蚀提供了必要条件。
技术优势与应用背景 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机在实现高真空度的同时，通过精确控制离子束的能量和方向，有效提高了衍射光学元件的表面均匀性。这对于光学元件的性能至关重要，尤其是在提高衍射效率和光学成像质量方面。
操作流程与工艺参数 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机的操作流程包括真空腔的抽真空、离子源的激活、刻蚀过程的精确控制以及后处理等步骤。工艺参数的优化是实现高均匀性刻蚀的关键，包括离子能量、刻蚀时间、气体流量等
北京某实验室采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 101BE刻蚀衍射光学元件, Hakuto 10IBE 离子刻蚀机凭借其高效、简便的操作特点以及优异的真空控制能力，为衍射光学元件的制造提供了一种新的高效解决方案，有望在光学制造领域得到更广泛的应用。
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:
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基板尺寸
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< Ф8 X 1wfr
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样品台
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直接冷却（水冷）0-90 度旋转
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离子源
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16cm 考夫曼离子源
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均匀性
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±5% for 4”Ф
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硅片刻蚀率
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20 nm/min
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温度
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<100
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Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160
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伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数：
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离子源型号
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离子源 KDC 160
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Discharge
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DC 热离子
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离子束流
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>650 mA
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离子动能
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100-1200 V
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栅极直径
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16 cm Φ
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离子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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2-30 sccm
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通气
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型压力
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< 0.5m Torr
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中和器
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灯丝
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Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀可提高衍射光学元件表面的均匀性.
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