离子束辅助沉积 IBAD 工艺，是在热蒸发或者电子束蒸发镀膜同时，引入可控宽束离子束持续轰击正在生长的薄膜，独立调控离子能量、离子束流，实现薄膜致密化、改善膜基结合力、调控薄膜应力与微观织构。传统灯丝离子源通入氧气等反应气容易灯丝损耗、维护频繁；RFICP‑380 采用无灯丝感应耦合射频等离子体，特别适配反应气体 IBAD 量产工艺。
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离子源：KRI RFICP380 射频栅网离子源，标准配置 3 片钼材质 OptiBeam™自对准离子光学栅网，栅网有效直径 Φ38cm，12"CF 法兰直装；
电源控制器：RF1520‑220‑LFN‑A，2kW 射频放电功率，1.7‑2.1MHz 射频频率，电子频率调谐固定匹配网络；
中和器：LFN2000 独立电子源中和器，最大发射电流 2A，对离子束做电荷中和，避免基板充电；
适配工艺气体：Ar、O₂、N₂及其他惰性 / 反应气体；工艺流量 5‑50 sccm，腔体工作压力＜0.5 mTorr。
离子束能量：100‑1500 V 可调；
最大束流：＞1000 mA；
射频放电功率最大 2000 W；
离子束形态：准直平行束，适配大面积基板；
离子光学：OptiBeam™自对准三栅钼栅网，无需人工栅网对位，减少人为工艺偏差，栅网寿命更长。
无灯丝设计：感应耦合 ICP 放电，O₂等反应气体长期运行不会烧蚀灯丝，减少停机维护，提升设备稼动率；固定匹配网络无机械运动部件，阻抗匹配响应快，可靠性高；
大口径均匀离子束，Φ38cm 栅网，距离源 30 cm 处仍具备大面积均匀离子流密度，适配大尺寸光学基板；
全部参数独立可控：蒸发速率、离子能量、离子束流可以互不干扰调节，精准调控薄膜应力、致密度、折射率；
LFN2000 模块化中和器，插拔式结构，维护更换便捷，气路电路无需重新拆装；
控制器支持 4 组工艺配方存储、RS232 / 模拟量远程接口，对接电子束蒸发 / 热蒸发设备自动化产线。
光学增透膜、高反膜、红外薄膜、硬质功能膜、低应力光学涂层；低温基板镀膜，不能高温退火的塑料、柔性基材镀膜。
RFICP‑380 大面积射频离子源解决传统灯丝离子源在氧气等反应气体 IBAD 工艺寿命短板；自对准栅网保证批次间重复性，适合科研及大面积光学镀膜量产。上海伯东作为 KRI 全国总代理，提供整机销售、工艺支持、备件与售后维修服务。
