原位预净 PC（Pre‑Clean）是薄膜沉积前关键工序：真空腔体内部，利用宽束惰性 / 反应离子束轰击基板，去除基板表面氧化层、残留有机污染物、吸附气体，提升后续溅射、蒸发薄膜与基板的结合强度。RFICP‑380 大口径离子源，可对整盘大批量基板做一次性均匀离子清洗，无需取出工件破真空。
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离子源：RFICP380，Φ38 cm OptiBeam™自对准三栅钼栅网，12"CF 直接安装法兰；
控制器 RF1520‑220‑LFN‑A，2kW 射频电源，固定射频匹配网络；
LFN2000 电子中和器，消除基板电荷积累，防止绝缘基板电荷损伤；
工艺气体：Ar，也可选用 O₂做反应式等离子体清洗；气体流量 5‑50 sccm，压力＜0.5 mTorr。
离子能量：100‑1500 V，清洗常用区间 200‑800 V；
最大离子束流＞1000 mA，可实现大基板高速均匀清洗；
射频频率 1.7‑2.1 MHz，固定匹配网络，开机快速建立稳定等离子体；
束型：准直平行束，距离源 30 cm 具有大范围均匀离子流密度，适合整盘基板批量处理。
无灯丝 ICP 放电，氧气氧等离子清洗不会损耗灯丝，可以长期做氧化清洗工艺；
38 cm 超大栅网口径，适配大尺寸基板托盘，整片托盘基板同时原位清洗，批次一致性高；
OptiBeam™自对准栅网，每次更换栅网不需要复杂人工对位，降低维护工时；
LFN‑2000 中和器，绝缘基板清洗不会发生电荷累积击穿；模块化插拔维护简单；
控制器具备自动启停时序，可集成到溅射、蒸发设备全自动流程；支持 4 套配方存储，RS‑232 远程控制。
磁控溅射前基板清洗、电子束蒸发前预处理；光学玻璃、半导体晶圆、金属、陶瓷、绝缘基材真空原位除氧化层与有机污染物。
RFICP‑380 作为原位预清洗源，特别适合大面积批量基板；反应气体兼容能力强，解决传统灯丝离子源氧清洗寿命痛点。上海伯东 KRI 全国总代理，提供选型评估、工艺调试支持、原厂备件供应。
