IBSD 离子束溅射沉积 Ion Beam Sputter Deposition：高能宽束离子束轰击固体靶材，靶材原子被溅射出来，沉积到基板上形成单层或者多层薄膜。离子源只负责轰击靶材，基板、靶材、离子源三者电位互相独立，工艺参数解耦，膜层成分、厚度、应力高度可控。RFICP‑380 无灯丝射频离子源，可以通入反应气体实现反应离子束溅射，适合制备复杂多层光学膜系。
RFICP380 离子源，Φ38 cm OptiBeam™三栅钼自对准离子光学，12 英寸 CF 法兰直接安装；
RF1520‑220‑LFN‑A 电源控制器，最大射频放电功率 2000 W，1.7‑2.1 MHz，固定匹配网络；
LFN2000 模块化电子中和器；
工艺气体 Ar、O₂、N₂，流量 5‑50 sccm，工作压力＜0.5 mTorr。
离子束能量 100‑1500 V 可调；最大束流＞1000 mA；
离子光学：三片钼栅网 OptiBeam™自对准技术，束型支持准直、会聚、发散；
射频匹配：固定网络 + 电子频率调谐，没有运动电机，匹配响应快，长期运行稳定；
LFN2000 中和器最大发射电流 2A；控制器集成四路 MFC，支持 4 套配方存储，RS232 远程控制。
无灯丝 ICP 放电，支持 O₂反应溅射，没有灯丝损耗，多层膜长时间连续生产维护成本低；
Φ38 cm 大口径离子束，大靶面轰击均匀，溅射薄膜厚度均匀性优异；
IBSD 工艺中离子源、靶、基板电位完全独立，离子能量、束流、气体、靶基板位置互不干扰，多层膜每一层工艺条件可以精确复现；
OptiBeam™自对准栅网，更换栅网不用人工精细校准，减少批次工艺漂移；
LFN‑2000 插拔模块化中和器，维修更换便捷，气路、电气接头无需重新布线。
光学多层干涉膜、红外光学薄膜、半导体多层膜、精密器件单层 / 多层功能膜；科研镀膜设备、量产 IBSD 溅射系统。
RFICP‑380 射频栅网离子源是 IBSD 离子束溅射沉积理想源，大束流、大口径、兼容反应气体，保障单层及复杂多层膜系制备重复性。上海伯东 KRI 全国总代理，提供整机、工艺支持、原厂备件。
上海伯东是日本 NS 离子蚀刻机, 美国 KRI 考夫曼离子源, 德国 ph-instruments 磁悬浮转子真空计, 德国 普发 Pfeiffer 真空设备, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 HVA 真空阀门, 美国 Gel-pak 芯片包装盒,比利时原装进 口 Europlasma 等离子表面处理机 , 和 美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
.png)
上海伯东: 罗小姐 台湾伯东: 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
M: 1520-195-1076 ( 微信同号 ) F: +886-3-567-0049
QQ: 2470772868 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
上海伯东版权所有, 翻拷必究！
