Hakuto 伯东离子刻蚀机 IBE 应用案例发布日期：2020-11-26

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 FSD 车载 AI 芯片

某 AI 芯片公司研发部采用伯东 20IBE-C 用于蚀刻 FSD 车载 AI 芯片, 去除制造过程中产生的污染物, 提高 AI 芯片的表面均匀度.

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:

Ф4 inch X 6片	基板尺寸	< Ф3 inch X 8片 < Ф4 inch X 6片 < Ф8 inch X 1片
	样品台	样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转
	离子源	20cm 考夫曼离子源
	均匀性	±5% for 8”Ф
	硅片蚀刻率	20 nm/min
	温度	<100

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图：

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

离子源型号	RFICP 220
Discharge	RFICP 射频
离子束流	>800 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	20 cm Φ
离子束	聚焦
流量	10-40 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	30 cm
直径	41 cm
中和器	LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量.

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700.

伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700 技术参数:

2707-Operating voltage: V DC	48 (± 5 %) V DC
Ar 的压缩比	> 1 · 1011
Ar 的抽速	665 l/s
Ar 的最终转速时的气体流量	3.5 hPa l/s \| 2.62 Torr l/s \| 3.5 mbar l/s
H2 的压缩比	4 · 105
H2 的抽速	555 l/s
H2 的最终转速时的气体流量	> 14 hPa l/s \| > 10.5 Torr l/s \| > 14 mbar l/s
He 的压缩比	3 · 107
He 的抽速	655 l/s
He 的最终转速时的气体流量	10 hPa l/s \| 7.5 Torr l/s \| 10 mbar l/s
I/O 接口	RS-485, 远程, Profibus
N2 的压缩比	> 1 · 1011
N2 的抽速	685 l/s
N2 的最大预真空	11 百帕
N2 的最终转速时的气体流量	6.5 hPa l/s \| 4.88 Torr l/s \| 6.5 mbar l/s
不带气镇的最终压力	1 · 10-7 百帕
允许冷却水的温度	15 – 35 °C 摄氏度
冷却水消耗最小值	100 l/h
冷却水耗量	100 l/h
冷却类型，可选项	空气
冷却类型，标准	水
声压水平	≤50 dB(A) 分贝 (A)
安装方向	任何
排气连接	G 1/8"
接口，扩展	Profibus
方位	混合动力
最大允许磁场	6 mT
根据 PNEUROP 的最终压力	< 1 · 10-7 百帕
电子驱动单元	带有 TC 400
电流最大值	8,75 A
耗电量 max.	420 瓦
转速 Â± 2 %	49,200 rpm \| 49,200 min-1
转速可变化	60 – 100 %
运行时间	2 分
连接法兰（入口）	DN 160 ISO-F
连接法兰（出口）	DN 25 ISO-KF/G ¼"
重量	12.1 千克
防护等级	IP54

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
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