Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 FSD 车载 AI 芯片
某 AI 芯片公司研发部采用伯东 20IBE-C 用于蚀刻 FSD 车载 AI 芯片, 去除制造过程中产生的污染物, 提高 AI 芯片的表面均匀度.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:
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.jpg)
Ф4 inch X 6片
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基板尺寸
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< Ф3 inch X 8片
< Ф4 inch X 6片
< Ф8 inch X 1片
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样品台
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样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转
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离子源
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20cm 考夫曼离子源
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均匀性
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±5% for 8”Ф
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硅片蚀刻率
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20 nm/min
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温度
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<100
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图：
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
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离子源型号
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RFICP 220
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Discharge
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RFICP 射频
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离子束流
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>800 mA
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离子动能
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100-1200 V
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栅极直径
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20 cm Φ
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离子束
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聚焦
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流量
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10-40 sccm
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通气
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型压力
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< 0.5m Torr
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长度
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30 cm
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直径
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41 cm
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中和器
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LFN 2000
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* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700.
伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700 技术参数:
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2707-Operating voltage: V DC
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48 (± 5 %) V DC
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Ar 的压缩比
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> 1 · 1011
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Ar 的抽速
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665 l/s
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Ar 的最终转速时的气体流量
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3.5 hPa l/s | 2.62 Torr l/s | 3.5 mbar l/s
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H2 的压缩比
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4 · 105
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H2 的抽速
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555 l/s
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H2 的最终转速时的气体流量
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> 14 hPa l/s | > 10.5 Torr l/s | > 14 mbar l/s
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He 的压缩比
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3 · 107
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He 的抽速
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655 l/s
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He 的最终转速时的气体流量
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10 hPa l/s | 7.5 Torr l/s | 10 mbar l/s
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I/O 接口
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RS-485, 远程, Profibus
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N2 的压缩比
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> 1 · 1011
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N2 的抽速
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685 l/s
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N2 的最大预真空
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11 百帕
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N2 的最终转速时的气体流量
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6.5 hPa l/s | 4.88 Torr l/s | 6.5 mbar l/s
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不带气镇的最终压力
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1 · 10-7 百帕
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允许冷却水的温度
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15 – 35 °C 摄氏度
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冷却水消耗最小值
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100 l/h
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冷却水耗量
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100 l/h
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冷却类型，可选项
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空气
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冷却类型，标准
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水
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声压水平
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≤50 dB(A) 分贝 (A)
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安装方向
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任何
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排气连接
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G 1/8"
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接口，扩展
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Profibus
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方位
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混合动力
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最大允许磁场
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6 mT
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根据 PNEUROP 的最终压力
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< 1 · 10-7 百帕
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电子驱动单元
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带有 TC 400
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电流最大值
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8,75 A
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耗电量 max.
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420 瓦
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转速 ± 2 %
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49,200 rpm | 49,200 min-1
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转速可变化
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60 – 100 %
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运行时间
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2 分
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连接法兰（入口）
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DN 160 ISO-F
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连接法兰（出口）
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DN 25 ISO-KF/G ¼"
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重量
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12.1 千克
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防护等级
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IP54
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上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
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